電化學(xué)沉積法？1、金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學(xué)沉積的過程。是金屬電解冶煉、電解精煉、電鍍、電鑄過程的基礎(chǔ)。這些過程在一定的電解質(zhì)和操作條件下進(jìn)行，金屬電沉積的難易程度以及沉積物的形態(tài)與沉積金屬的性質(zhì)有關(guān)，也依賴于電解質(zhì)的組成、pH值、溫度、電流密度等因素;2、那么，電化學(xué)沉積法？一起來了解一下吧。
1、金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學(xué)沉積的過程。是金屬電解冶煉、電解精煉、電鍍、電鑄過程的基礎(chǔ)。這些過程在一定的電解質(zhì)和操作條件下進(jìn)行，金屬電沉積的難易程度以及沉積物的形態(tài)與沉積金屬的性質(zhì)有關(guān)，也依賴于電解質(zhì)的組成、pH值、溫度、電流密度等因素;
2、電泳涂漆中的一個(gè)過程，在直流電場作用下帶電荷的樹脂粒子到達(dá)相反電極，通過放電或得到電子析出不溶于水的漆膜沉積在被涂物表面。它是電泳涂裝過程中的主要反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)首先是在電力線密度特別高的部位進(jìn)行(如被涂物的邊緣棱角和尖端處，一旦沉積發(fā)生，被涂物就具有一定程度的絕緣性，電沉積逐漸向電力線密度低的部位移動(dòng)，直到最后得到完全均勻的涂層為止。
電化學(xué)沉積法有氣相沉積，液相沉積等等。氣相沉積是將要包含要沉積元素的物質(zhì)弄成氣態(tài)形式通入反應(yīng)室，在一定條件下進(jìn)行分解，沉積在底片上。液相沉積就是將該物質(zhì)的業(yè)態(tài)形式直接放在底片上進(jìn)行沉積。
恒電流法，恒電位法。
恒電流法是指通過控制電流的強(qiáng)度，使金屬表面沉積出均勻的涂層。
2、恒電位法則是指通過控制電極電位，使金屬表面沉積出均勻的涂層。
3、這兩種方法都是通過控制電化學(xué)反應(yīng)的條件來實(shí)現(xiàn)對涂層沉積過程的控制。
穩(wěn)態(tài)法和暫態(tài)法
動(dòng)電位掃描（線性極化，tafel極化，循環(huán)伏安，陽極極化，陰極極化）；
電化學(xué)交流阻抗；
電化學(xué)噪聲法
沉積二氧化錳用恒流恒壓動(dòng)電勢
電化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。
然而，實(shí)際上， 反應(yīng)室中的反應(yīng)是很復(fù)雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應(yīng)室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動(dòng)速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學(xué)成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應(yīng)室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應(yīng)等。額外能量來源諸如等離子體能量，當(dāng)然會產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。
然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個(gè)晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學(xué)配比(化學(xué)成份和分布狀態(tài))，結(jié)晶晶向和缺陷密度等。當(dāng)然，沉積速率也是一個(gè)重要的因素，因?yàn)樗鼪Q定著反應(yīng)室的產(chǎn)出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質(zhì)量折中考慮。
以上就是電化學(xué)沉積法的全部內(nèi)容，恒電流法，恒電位法。恒電流法是指通過控制電流的強(qiáng)度，使金屬表面沉積出均勻的涂層。2、恒電位法則是指通過控制電極電位，使金屬表面沉積出均勻的涂層。3、這兩種方法都是通過控制電化學(xué)反應(yīng)的條件來實(shí)現(xiàn)對涂層沉積過程的控制。
