化學(xué)位移？化學(xué)位移是因原子內(nèi)層電子結(jié)合能的變化而引起電子能譜圖上譜峰位置的移動(dòng)。不同的化學(xué)環(huán)境主要指原子價(jià)態(tài)的變化、與不同電食性的原子或原子團(tuán)相結(jié)合等。這些因素會(huì)造成原子核內(nèi)電荷和核外電荷的分布發(fā)生變化，那么，化學(xué)位移？一起來(lái)了解一下吧。
化學(xué)位移中數(shù)字越大是低場(chǎng)，不是高場(chǎng)。因?yàn)榈蛨?chǎng)矢量為0的分力越小，而分力越小，越容易產(chǎn)生位移，所以化學(xué)位移中數(shù)字越大是低場(chǎng)。
核磁共振中，化學(xué)位移本身是有單位的，其單位是Hz，之所以最終沒(méi)有單位，是因?yàn)槲覀兂Ｕf(shuō)的化學(xué)位移指的是化學(xué)相對(duì)位移。例如，當(dāng)使用200MHz的NMR時(shí)，某個(gè)位移值為200Hz，這時(shí)就采用相對(duì)位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百萬(wàn)分之一，也就是1ppm；
之所以這么表示是因?yàn)椋灰浦禃?huì)隨著機(jī)器的不同而改變，例如，在400MHz的NMR下，位移值是400Hz，只是相對(duì)位移不變，仍然是1ppm
由于有機(jī)分子中各種質(zhì)子受到不同程度的屏蔽效應(yīng)，因此在核磁共振譜的不同位置上出現(xiàn)吸收峰。
某一物質(zhì)吸收峰的位置與標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)子吸收峰位置之間的差異稱(chēng)為該物質(zhì)的化學(xué)位移（chemicalshift），常以δ表示。
擴(kuò)展資料：
化學(xué)位移的差別約為百萬(wàn)分之十，難以精確測(cè)得數(shù)值。現(xiàn)采用相對(duì)數(shù)值表示法，即選用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，以該標(biāo)準(zhǔn)物的共振吸收峰所處位置為零點(diǎn)，其它吸收峰的化學(xué)位移值根據(jù)這些吸收峰的位置與零點(diǎn)的距離來(lái)確定。最常用的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是四甲基硅TMS(tetramethylsilicon)。
化學(xué)位移是NMR（核磁共振波譜）的術(shù)語(yǔ)。 表征在不同化學(xué)環(huán)境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波譜上出現(xiàn)的位置。
就外部因素來(lái)說(shuō)， 氘代溶劑對(duì)化學(xué)位移有一定影響， 如用氘代氯仿和氘代DMSO會(huì)導(dǎo)致同一H或C 的化學(xué)位移有變化， 但不是很大。
影響化學(xué)位移的主要因素是所測(cè)元素周?chē)幕瘜W(xué)環(huán)境。 例如烯烴上的H或C的化學(xué)位移比飽和烷烴的H或C的化學(xué)位移要大的多， 即在低場(chǎng)出現(xiàn)。
更具體和詳細(xì)的內(nèi)容請(qǐng)參考有關(guān)的波譜專(zhuān)著。
化學(xué)位移：產(chǎn)生共振吸收峰的位移。
在有機(jī)化合物中，處在不同結(jié)構(gòu)和位置上的各種氫核周?chē)碾娮釉泼芏炔煌瑢?dǎo)致共振頻率有差異，即產(chǎn)生共振吸收峰的位移，稱(chēng)為化學(xué)位移。
影響因素包括以下：
1. 電負(fù)性
2. 各向異性效應(yīng)
3. 氫鍵
4. 溶劑效應(yīng)
5. 范德華效應(yīng)
拓展資料：
產(chǎn)生原因：
核周?chē)娮赢a(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)對(duì)外加磁場(chǎng)的抵消作用稱(chēng)為屏蔽效應(yīng)。核周?chē)碾娮悠帘涡?yīng)是化學(xué)位移產(chǎn)生的主要原因。通常氫核周?chē)碾娮釉泼芏仍酱螅帘涡?yīng)也越大，從而需要在更高的磁場(chǎng)強(qiáng)度中才能發(fā)生核磁共振和出現(xiàn)吸收峰。
參考資料：
百度百科化學(xué)位移
由于有機(jī)分子中各種質(zhì)子受到不同程度的屏蔽效應(yīng)，因此在核磁共振譜的不同位置上出現(xiàn)吸收峰，某一物質(zhì)吸收峰的位置與標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)子吸收峰位置之間的差異稱(chēng)為該物質(zhì)的化學(xué)位移，常以δ表示。
在外磁場(chǎng)的作用下，核外電子會(huì)產(chǎn)生方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng)，即屏蔽作用，使原子核實(shí)際感受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度減弱，共振頻率隨之改變。
由于核所處的化學(xué)環(huán)境不同，導(dǎo)致核周?chē)娮釉泼芏炔煌鸬墓舱裎辗宓奈灰片F(xiàn)象稱(chēng)為化學(xué)位移。
影響化學(xué)位移的因素主要是核周?chē)幕瘜W(xué)環(huán)境(分子的結(jié)構(gòu))不同產(chǎn)生的誘導(dǎo)效應(yīng)、共軛效應(yīng)、磁各向異性效應(yīng)、氫鍵作用和溶劑效應(yīng)等因素。
化學(xué)位移絕對(duì)值的差別很小，要精確測(cè)量難度很大，所以需要選定一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，將其核磁共振吸收峰的位置定為零，采用相對(duì)數(shù)值表示法來(lái)表示化合物吸收峰的位置。
化學(xué)位移是核磁共振中的一種術(shù)語(yǔ)，是化學(xué)環(huán)境所引起的核磁共振信號(hào)位置的變化，具體是用數(shù)字來(lái)進(jìn)行表達(dá)（相對(duì)的，通常使用四甲基硅烷作為基準(zhǔn)）。如果你是大學(xué)生，有空去幫師兄師姐做做實(shí)驗(yàn)?zāi)憔蜁?huì)很了解，核磁共振是化合物結(jié)構(gòu)解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內(nèi)因：有吸電子基團(tuán)的向低場(chǎng)移動(dòng)（因?yàn)槠帘巫饔脺p少，弛豫所需的外磁場(chǎng)強(qiáng)度可以不用很高）；共軛效應(yīng)的向低場(chǎng)移動(dòng)(如苯環(huán)上的H向低場(chǎng)移動(dòng))；還有就是各向異構(gòu)引起的，比如苯環(huán)的上方空間（不是苯環(huán)上）的H向高產(chǎn)移動(dòng)，三鍵的鍵方向的向高產(chǎn)移動(dòng)，雙建上方的H向高產(chǎn)移動(dòng)。這些有機(jī)化學(xué)的課本上都有，注意分類(lèi)，別弄混淆。
外因：溶劑，溫度（低溫的時(shí)候有的單峰肯能會(huì)列分成雙峰，如DMF的）
以上就是化學(xué)位移的全部?jī)?nèi)容，化學(xué)位移是NMR（核磁共振波譜）的術(shù)語(yǔ)。 表征在不同化學(xué)環(huán)境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波譜上出現(xiàn)的位置。就外部因素來(lái)說(shuō)， 氘代溶劑對(duì)化學(xué)位移有一定影響。
