砷化鎵化學(xué)式，砷化鎵電池方程式是什么

砷化鎵化學(xué)式？(1)GaAs(2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 (3)＞(4)BCD 由晶胞的結(jié)構(gòu)知每一個(gè)砷化鎵晶胞中含有4個(gè)As原子、4個(gè)Ga原子，因此砷化鎵的化學(xué)式為GaAs。(2)N、P、As為同一主族元素，其氫化物結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，則分子間作用力越大，沸點(diǎn)越高，但由于NH 3 分子間可形成氫鍵，那么，砷化鎵化學(xué)式？一起來(lái)了解一下吧。

砷化鎵是化合物嗎

化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn) 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。

跟SiC是等電子體，也就是結(jié)構(gòu)性質(zhì)相似！SiC是原子晶體，GaAs也是原子晶體！也可以從他的熔點(diǎn)1238進(jìn)行判斷！

砷化鎵酸浸方程式

（1）該晶胞中，Ga原子個(gè)數(shù)=4，As原子個(gè)數(shù)=8×

1

8

+6×

1

2

＝4，所以其化學(xué)式為：GaAs，

故答案為：

GaAs；

（2）由于NH₃分子間存在氫鍵，所以NH₃的沸點(diǎn)最高，由于AsH₃的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH₃，故AsH₃的沸點(diǎn)高于PH₃，故答案為：NH₃＞AsH₃＞PH₃；

（3）As和Ga處于同一周期，而處于VA的As外圍電子處于半滿的較穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故As的第一電離能大于Ga，故答案為：＞；

（4）A．NaCl晶體中，鈉離子位于頂點(diǎn)和面心，氯離子位于棱和體心，二者晶體結(jié)構(gòu)不同，故A錯(cuò)誤；

B．將與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子連接后可得正四面體結(jié)構(gòu)，故B正確；

C．同周期元素從左到右元素的電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，故C正確；

D．由于Ga原子最外層只有3個(gè)電子，而每個(gè)Ga原子與4個(gè)As原子成鍵，因此其中一個(gè)共價(jià)鍵必為配位鍵，故D正確．

故答案為：BCD．

砷化鎵的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。

砷化鎵，化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。

因?yàn)镚aAs的晶體很穩(wěn)定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實(shí)是可以忽略的。當(dāng)要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時(shí)，表面的區(qū)域會(huì)和水起反應(yīng)，釋放或分解出少許的As。

擴(kuò)展資料

砷化鎵(GaAs)是一種很容易被人們提起的半導(dǎo)體材料，它與整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)密切關(guān)聯(lián)，而這也是我國(guó)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)中最為薄弱的環(huán)節(jié)。隨著5G的逐步到來(lái)，整個(gè)社會(huì)將進(jìn)入萬(wàn)物互聯(lián)的新階段，半導(dǎo)體相關(guān)芯片、器件需求量將進(jìn)一步爆發(fā)，將成為像基礎(chǔ)能源一般的存在。

由于GaAs具有高頻、低雜訊與低耗電等優(yōu)良特性，能夠應(yīng)用在高頻IC與光電材料上，手機(jī)、WLAN、光纖通訊、衛(wèi)星通訊與太陽(yáng)能電池均是其適用的領(lǐng)域，其中手機(jī)與無(wú)線通訊應(yīng)用是其中占比較高的市場(chǎng)。

參考資料來(lái)源：百度百科-砷化鎵

砷化鎵的制備方法

化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn) 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。

一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。化學(xué)式GaAs，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生長(zhǎng)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。

砷化鎵的電子式怎么寫

（1）晶胞中黑球位于晶胞內(nèi)，數(shù)目為4，白球位于晶胞頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8×

1

8

+6×

1

2

=4，原子數(shù)目為1：1，則砷化鎵的化學(xué)式為CaAs；鎵原子位于頂點(diǎn)，被8個(gè)晶胞共有，而4個(gè)As原子平均分布在晶胞體心，即鎵原子距離最近的As原子數(shù)目為4，即配位數(shù)為4，

故答案為：CaAs、4；

（2）A．GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點(diǎn)和面心，而NaCl中陰陽(yáng)離子分別位于晶胞的頂點(diǎn)、面心以及棱和體心，二者結(jié)構(gòu)不同，故A錯(cuò)誤；

B．計(jì)算GaP、SiC與砷化鎵的價(jià)電子數(shù)，Ga價(jià)電子數(shù)為3，P價(jià)電子數(shù)為5，則GaP價(jià)電子總數(shù)為8，Si、C價(jià)電子數(shù)均為4，價(jià)電子總數(shù)為8，砷價(jià)電子數(shù)為5，砷化鎵價(jià)電子總數(shù)為8，GaP、SiC與砷化鎵的價(jià)電子總數(shù)均為8，總數(shù)相等，故B正確；

故選B；

（3）反應(yīng)為（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成為GaAs，根據(jù)質(zhì)量守恒可知還應(yīng)有和CH₄，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃ .

GaAs+3CH₄，

故答案為：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃ .

GaAs+3CH₄；

以上就是砷化鎵化學(xué)式的全部?jī)?nèi)容，原子數(shù)目為1：1，則砷化鎵的化學(xué)式為CaAs；鎵原子位于頂點(diǎn)，被8個(gè)晶胞共有，而4個(gè)As原子平均分布在晶胞體心，即鎵原子距離最近的As原子數(shù)目為4，即配位數(shù)為4，故答案為：CaAs、4；（2）A．GaAs晶體中As分布于晶胞體心。